参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	FCMT199N60n: 0
说明	通用MOSFET   4-PowerTSFN Power
起订量	3
最小包	3
现货	401 [库存更新时间：2024-05-11]
系列	SuperFET® II
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	20.2A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	74nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2950pF @ 100V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	208W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	199mΩ@10A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	4-PowerTSFN
封装/外壳	Power
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	20.2A